1.完成公司IMP/RTP等設備的導入和安裝驗收，主導相關工藝設定，保證設備符合研發(fā)、量產需要2.根據公司的項目開發(fā)相關IMP/RTP等工藝，負責IMP/RTP等工藝研發(fā)、量產3.優(yōu)化現有產品IMP/RTP等工藝，提高產品良率以及穩(wěn)定性4.負責IMP/RTP等工藝日常維護和監(jiān)控數據分析5.制定IMP/RTP等工藝方法、操作規(guī)范等工藝標準化文件6.配合產品工程師完成新產品、新材料導入以及驗證7.負責IMP/RTP相關設備工藝降本項目8.負責新進工程師的IMP/RTP工藝培訓9.完成部門規(guī)劃的其它工藝開發(fā)相關工作以及設備維護工作職位要求：1.3年以上6/8寸Fab IMP/RTP 工藝崗位經驗2.熟悉金屬薄膜以及相關退火工藝3.整合開發(fā)新的退火工藝平臺薪酬福利：1、具有行業(yè)競爭力的薪資福利；2、多元化假期；3、六險一金；4、團體旅游/拓展、年度體檢；5、團體活動俱樂部、定期培訓；6、三節(jié)福利禮金。

晶湛半導體由業(yè)界公認的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延技術的開拓者程凱博士于2012年3月回國創(chuàng)辦，坐落于蘇州市工業(yè)園區(qū)，擁有國際先進的氮化鎵外延材料研發(fā)和產業(yè)化基地，致力于為電力電子以及微顯示等領域提供高品質氮化鎵外延材料解決方案，也是目前國際上可供應300mm硅基氮化鎵外延產品的先鋒廠商，技術實力處于國際領軍地位。在公司發(fā)展過程中，晶湛在業(yè)內創(chuàng)造過多項創(chuàng)舉。2014年底，晶湛半導體率先在全球發(fā)布商用8英寸硅基氮化鎵外延片產品，經有關下游客戶驗證，該材料具備全球領先的技術指標和卓越的性能，實現了國內氮化鎵產業(yè)的重要升級。2021年9月，晶湛半導體成功發(fā)布12英寸硅基電力電子氮化鎵外延片，贏得了國內外廣泛關注。經過多年的專注發(fā)展，晶湛半導體已經成為國內GaN材料研發(fā)和產業(yè)化的領軍企業(yè)，通過與全球數百家知名半導體科技企業(yè)、高校科研院所客戶建立廣泛深入的合作，多次在行業(yè)頂級期刊Nature Electronics，IEEE Electron DeviceLetters，及國際頂級會議IEDM等發(fā)布相關創(chuàng)新成果，引起國際半導體界的廣泛關注和一致好評。晶湛半導體高度重視自主研發(fā)和核心知識產權工作，在氮化鎵外延領域已掌握多項核心技術, 擁有獨立的自主知識產權，晶湛半導體目前已在國內外累計申請超900項專利，其中已獲得超200項專利授權。公司還先后榮獲蘇州市技術發(fā)明一等獎、蘇州工業(yè)園區(qū)專利授權十佳企業(yè)、蘇州工業(yè)園區(qū)知識產權高質量創(chuàng)造獎、江蘇省百件優(yōu)質發(fā)明專利、江蘇省高質量發(fā)明專利、蘇州市優(yōu)秀專利獎、國家高新技術企業(yè)、蘇州市獨角獸培育企業(yè)、蘇州市企業(yè)工程技術研究中心等一系列資質和榮譽。蘇州晶湛半導體有限公司將一直秉承著“成為世界領先的第三代半導體材料供應商”的愿景，為客戶創(chuàng)造價值。